Karbid kremíka SIC98

►Vysoká tvrdosť.
►Silná v reznej schopnosti.
►Stabilné v chemických vlastnostiach.
►Tepelná vodivosť zeleného karbidu kremíka - Dobrá tepelná vodivosť.

Zaslať požiadavku

Popis

Obsah prírodného karbidu kremíka a moissanitu (známeho aj ako moissanit) je veľmi malý. Karbid kremíka používaný v priemysle je syntetický materiál bežne známy ako šmirgeľ. V roku 1891 americký vedec Acheson náhodne objavil karbid pri pokuse s taveným diamantom. Vtedy sa mylne domnieval, že ide o zmes diamantov, a tak ho pomenoval šmirgľový.

V tom istom roku Acheson študoval metódy priemyselného tavenia karbidu kremíka. Je tiež bežne známa ako pec Acheson a dodnes sa používa. Ide o odporovú pec, ktorá využíva uhlíkatý materiál ako jadro pece a elektricky ohrieva zmes kremeňa SiO2 a uhlíka za vzniku karbidu kremíka SIC98.

Špecifikácia

Model	komponent %
60#	Sic	F.C		Fe203
65#	60 min	15-20	8-12	3,5 max
70#	65 min	15-20	8-12	3,5 max
75#	70 min	15-20	8-12	3,5 max
80#	75 min	15-20	8-12	3,5 max
85#	80 min	3-6		3,5 max
90#	85 min	2,5 max		3,5 max
95#	90 min	1.0max		1,2 max
97#	95 min	0.6 max		1,2 max

Silicium Carbide Factory

Silicium Carbide Suppliers

Priemyselne vyrábaný piesok karbidu kremíka SIC98 okrem hlavnej zložky SiC zvyčajne obsahuje nečistoty. Medzi tieto nečistoty patria najmä:

(1) Voľný kremík. Časť je rozpustená v kryštáli SiC a časť tvorí zliatinu so svojimi nečistotami (ako je železo, hliník, vápnik atď.) a priľne ku kryštálu alebo je v kryštáli zapustená.

(2) Voľný oxid kremičitý. Zvyčajne sa nachádza na kryštálových povrchoch. Väčšina z nich je spôsobená kontaktnou oxidáciou SiC kyslíkom alebo vodnou parou vo vzduchu počas chladiaceho procesu odporovej pece. Keď je v prísadách prebytok kremíkovej suroviny, táto sa tiež vyparí a kondenzuje na povrchu kryštálu karbidu kremíka a v peci sa môže objaviť biely a nadýchaný SiO2.

(3) Uhlík. Časť uhlíka je obalená kryštálom SiC a časť tvorí karbidy s kovovými nečistotami. Keď je v prísadách príliš veľa uhlíka, je možné vidieť viditeľné voľné častice uhlíka.

(4) Železo, hliník, vápnik, horčík atď. V dôsledku vysokoteplotnej redukčnej atmosféry v peci je väčšina týchto nečistôt obsiahnutých v kryštálovom ingote v stave zliatiny alebo karbidu. Nečistoty ako železo, horčík a vápnik nevstupujú do kryštálovej mriežky, ale hromadia sa na hraniciach zŕn a póroch. Hlavnými nečistotami vstupujúcimi do SiC mriežky sú dusík, hliník a hliník, ktoré majú dôležitý vplyv na vodivé vlastnosti kryštálu.