Karbid kremíka SiC 1-5 mm

Karbid kremíka (SiC) je syntetická zlúčenina zložená z kremíka a uhlíka. Je to vysoko odolný a tvrdý materiál s vynikajúcou tepelnou vodivosťou, vysokým bodom topenia a vysokou elektrickou vodivosťou. SiC sa vyrába kombináciou vysokej teploty a tlaku. Najbežnejšou metódou výroby SiC je Achesonov proces, ktorý zahŕňa nasledujúce kroky:

Príprava suroviny: Surovinou na výrobu SiC sú kremičitý piesok a ropný koks. Tieto materiály sú starostlivo vybrané a zmiešané v požadovaných pomeroch. Na zlepšenie poréznosti konečného produktu sa môžu pridať aj iné materiály, ako sú piliny alebo soľ.

Vsádzanie v peci: Suroviny sa vkladajú do elektrickej odporovej pece obloženej uhlíkovými tehlami. Pec sa zahrieva na teplotu okolo 2200 stupňov, čo spôsobí, že uhlík v kokse reaguje s oxidom kremičitým za vzniku SiC.

Tvorba SiC: So zvyšujúcou sa teplotou pece sa reakcia medzi uhlíkom a oxidom kremičitým stáva intenzívnejšou a začínajú sa vytvárať kryštály SiC. Kryštály SiC v priebehu reakcie rastú a nakoniec sa vytvorí pevná hmota SiC.

Drvenie a preosievanie: Pevná hmota SiC sa rozdrví a preoseje na požadovanú veľkosť. Veľkosť zŕn SiC sa môže meniť v závislosti od zamýšľaného použitia.

Chemické ošetrenie: Zrná SiC môžu byť chemicky ošetrené, aby sa odstránili všetky nečistoty, ktoré môžu ovplyvniť ich kvalitu. Ošetrenie môže zahŕňať použitie kyseliny, zásady alebo iných chemikálií.

Balenie a skladovanie: Konečný produkt SiC sa potom zabalí do vhodných nádob a uskladní sa na suchom, dobre vetranom mieste, kým nie je pripravený na odoslanie.