Projekt karbidu kremíka
Tvar: hrudkový/práškový tvar
Prášok z karbidu kremíka pre žiaruvzdorné materiály
Popis
Popis
Karbid kremíka (SiC) je revolučný polovodičový materiál, ktorý mení tvár moderných technológií. SiC je vysokovýkonný materiál s mnohými výhodami oproti tradičným polovodičom, ako je kremík. Dokáže odolávať vyšším teplotám, vyšším napätiam a vyšším frekvenciám, vďaka čomu je ideálnym materiálom pre výkonovú elektroniku, satelitné komunikačné systémy a ďalšie vysokovýkonné aplikácie.
Projekt Silicon Carbide Project, ktorý je spoločnou spoluprácou medzi vládnymi organizáciami, univerzitami a súkromnými spoločnosťami, pracuje na tom, aby sa SiC stal materiálom voľby pre elektronické zariadenia a systémy. Projekt je zameraný na vývoj výkonových modulov, zosilňovačov a iných zariadení na báze SiC, ktoré možno použiť v rôznych aplikáciách.
Špecifikácia
| Model | Percento zložky | |||
| 60# | SiC | F.C | Fe203 | |
| 65# | 60 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 max |
| 70# | 65 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 max |
| 75# | 70 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 max |
| 80# | 75 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 max |
| 85# | 80 min | 3-6 | 3,5 max | |
| 90# | 85 min | 2,5 max | 3,5 max | |
| 95# | 90 min | 1.0max | 1,2 max | |
| 97# | 95 min | 0.6 max | 1,2 max | |
Jednou z kľúčových výhod SiC oproti tradičným polovodičom je jeho schopnosť pracovať pri vyšších teplotách. SiC zariadenia môžu pracovať až do 600 stupňov, čo je teplota, ktorá je pre tradičnú elektroniku na báze kremíka nedosiahnuteľná. To znamená, že môžu byť použité v drsnom prostredí, ako je prieskum ropy a zemného plynu a letecké aplikácie.
Ďalšou výhodou SiC je jeho schopnosť odolávať vyšším napätiam a frekvenciám. SiC zariadenia dokážu zvládnuť napätie až 10-krát vyššie ako tradičné zariadenia na báze kremíka a môžu pracovať pri frekvenciách až 100-krát vyšších. Vďaka tomu sú ideálne na použitie vo vysokorýchlostných motorových pohonoch, spínaných zdrojoch napájania a iných vysokovýkonných aplikáciách.
Projekt Silicon Carbide Project tiež pracuje na vývoji tranzistorov a zosilňovačov na báze SiC, ktoré možno použiť v satelitných komunikačných systémoch. SiC je ideálny materiál pre túto aplikáciu, pretože môže pracovať pri vysokých frekvenciách, ktoré sú potrebné pre satelitné komunikačné systémy. Zosilňovače na báze SiC sú tiež menšie a efektívnejšie ako tradičné zosilňovače na báze kremíka, vďaka čomu sú perfektnou voľbou pre vesmírne misie.
Projekt Silicon Carbide Project dosiahol významný pokrok vo vývoji výkonových zariadení, zosilňovačov a iných elektronických zariadení na báze SiC. Stále je však potrebné vykonať viac práce, aby sa SiC stal hlavným materiálom. Náklady na výrobu zariadení na báze SiC sú stále vysoké a technológia ešte nie je dostatočne zrelá na masovú výrobu. S pokračujúcim výskumom a vývojom sa však SiC stane materiálom voľby pre vysokovýkonné aplikácie a navždy zmení tvár moderných technológií.
FAQ
Otázka: Ste výrobca alebo obchodník?
A: Vyrábame.
Otázka: Aká je kvalita produktov?
Odpoveď: Výrobky budú pred odoslaním prísne skontrolované, takže kvalita môže byť zaručená.
Otázka: A čo certifikácia vašej spoločnosti?
Odpoveď: ISO9001 a správa o teste.
Otázka: Aké je MOQ skúšobnej objednávky?
Odpoveď: Bez obmedzenia, môžeme ponúknuť najlepšie návrhy a riešenia podľa vášho stavu.
Otázka: Poskytujete vzorky?
Odpoveď: Áno, vzorky sú k dispozícii.
Populárne Tagy: projekt karbidu kremíka
Zaslať požiadavku
Tiež sa vám môže páčiť